存储伤害的单元测试 伤害的32点 尖晶石管(源)汽耗率 连入器型 KV-NC32ETP

KV-NC32ETP - 扩展输出单元 输出32点 晶体管(源)出力 连接器型

*请考虑，全部图片中的附件概率不涵盖在货品中。

软件

  • CE 标志概述
  • UL Listing(c/us)

规格

形号KV-NC32ETP
拓张伤害单元测试卷输出精度姿态

MOSFET 输出 (有过电流保护功能)*1*2

外界接触的方法连结器
固定装载

30 VDC 0.2 A*3

OFF 时外泄电流值100 µA 下面
ON 时残留物电流值0.6 VDC 接下来
ON 热敏电阻―
最少选用负载电阻
公开点的方法

32 点/1 公共点 (2 端子)*4*5

加载时OFF →ON100 µs 以內 (载荷 1 mA 以下)
ON→OFF200 µs 有以下 (阻抗 1 mA 往上)
继家用电器年限―
更改中间继电器电线电缆
内控需求量电压电流50 mA 以上
容量约 110 g

*1 即使只在 1 点检测到过电流，公共点 (在使用 KV-NC32ET(P) 的情况下，检测到过电流时，受到保护的公共点输出为 000 至 015 或 100 至 115。) 内的所有输出都会重复保护动作 (输出OFF) 与自动恢复直到产生原因被排除。
*2 晶体管 (SINK) 输出型为MOSFET (N-ch) 输出，晶体管 (SOURCE) 输出型为MOSFET (P-ch) 输出。
*3 公共端子每1 端子的额定负载 为1.6 A。
*4 KV-NC16ET(P)、 KV-NC16ET(P)E、KV-NC32ET(P) 的COM 在内部短路。
*5 在使用 KV-NC32ET(P) 的情况下，检测到过电流时，受到保护的公共点输出为 00🥂0 至 015 或 100 至 115。

高技术尺寸(PDF) 同一机型